"); //-->
过压器件中较为出彩的莫过于工程师和采购都熟悉的陶瓷放电管、TVS二极管,同样是限压器件,半导体放电管在电子元器件行业中的位置比较尴尬。相比陶瓷放电管、TVS管有多种封装形式,能更好的适用各类PCB板,半导体过压保护器只有贴装式、直插式和轴向引线式三种常见的封装形式。下面就跟电子保护器件供应商硕凯电子一起来了解半导体放电管TSS的工作原理和选型应用吧。
半导体放电管TSS的工作原理:
并联在电路上,器件不动作时,阻值最高,可视为开路,对电路几乎没有影响。当有异常脉冲时,阻值瞬间下降,瞬间释放电流。当异常高压消失,其恢复到高阻状态,电路正常工作。
半导体放电管TSS的选型应用:
半导体放电管TSS的选型参照瞬态抑制二极管(TVS管)。与TVS管不同的是它导通后电压很低,要特别注意防止过大的续流损坏电路元件,包括半导体过压保护器本身,因此所用的限流电阻应选得更大些。
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。
从应用上来看,半导体放电管其应用范围广泛,可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。
*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。