TSS半导体放电管是属于固体放电管，是一种开关型的浪涌过压保护器件！它的工作原理类似于晶闸管，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，导通一定的时间后呈低阻状态，从而可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流；当浪涌脉冲过后，电压要低于它的断流电压才能恢复到开路状态。

结构如图(a)，J1(N1P1)、J2(P1N2)、J3(N2P2)分别是TSS半导体放电管的三个PN结，如果在K极加入正电，A极 加入负电，则J1(N1P1))结、J3(N2P2)正偏，J2(P1N2)结反偏，由于重掺杂的J1结击穿电压很低，J3结承受几乎全部外电压。半导体 放电管的伏安特性为反偏二极管的伏安特性曲线，当外加电压较小时，阳极电流(IA)很小；当外加电压增大到J3结击穿电压以上时，由于雪崩倍增效应，电流 急剧增大，半导体放电管被击穿。

　　如A为正电压，K为负电压，则J1结、J3结正偏，J2结反偏。此时该器件的特性曲线如图（b），可分为四个阶段：

    1 、阻断区：此时半导体放电管所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J3上。

    2、雪崩区：当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场大大增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结 的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大。此时，通过J2结的电流，由原来的反向电流转变为主要由J1、J3注入的载流子经过基区衰减而又在J2结空间 电荷区倍增了的电流，形成随电压增加而引起电流急剧增加的雪崩区。

    3 、负阻区：当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空 穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入N2区，空穴进入P1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使P1区电位升高、 N2电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。另一方面，J1、J3结的正向电压却 有所增加，注入增强，造成通过J2结的电流增大，于是出现了电流增加电压减小的负阻现象。

4、低阻通态区：如上所述，雪崩效应使J2结两侧形成空穴和电子的积累，造成J2结反偏电压减小，同时又使J1、J3结注入增强，电流增大，因而J2结两侧继续有电荷积累，结电压不断下降。当电压下降到雪崩倍增完全停止，结电压完全被抵消后，J2结两侧仍有空穴和电子积累时，J2结变为正偏。此时，J1、J2和J3全部为正偏，器件可以通过大电流，因而处于低阻通态区。完全导通时，其伏安特性曲线与整流元件相似。

    市场中电路保护器件半导体放电管以其起动快、寿命长、参数一致性好、通态压降低、对称性号的特点而被看好。更多TSS半导体固体放电管型号、规格书下载可直接访问硕凯电子官网。

*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。