集成电路中静电放电(ESD)引起的损伤主要有以下两个方面:一种是电流过大而引起的热失效，包括PN结损伤和烧坏(包括接触孔)、扩展区电阻、多晶电阻烧坏或损伤;一种是由于过大的电压直接引起的介质层击穿(包括栅氧化层击穿和电容击穿)，或者说是电失效。热失效是由于局部电流集中而形成较大的热量，使器件局部金属互连线熔化或芯片出现热斑从而引起二次击穿。电失效是由于保护不当使较大的电压直接加到脆弱的薄氧化层上，引起介质击穿或表面击穿。如何有效抑制高集成电路IC芯片的静电干扰呢？且看硕凯电子怎么说。

静 电放电的能量，对传统的电子元件的影响甚微，人们不易觉察，但是这些高密度集成电路元件则可能因静电电场和静电放电电流引起失效，或者造成难以被人们发现 的“软击穿”现象，导致设备锁死、复位、数据丢失和不可靠而影响设备正常工作，使设备可靠性降低，甚至造成设备的损坏。集成电路工业由ESD导致的损失是一个非常严重的问题。

防止ESD对集成电路带来的损伤的方法目前主要有2种：外部因素及内部因素。

内部因素是指提高电路本身对ESD的保护能力，也就是IC芯片中的ESD保护器件及电路的设计，以下是内部防护办法：

目前提高IC芯片内部ESD保护电路的性能是提高IC抗ESD性能的主要手段。静电放电保护电路是集成电路上专门用来做静电放电保护之用的，静电放电保护电路提供了ESD电流路径，以免ESD放电时，静电电流流入IC内部电路而造成损伤。通常ESD保护电路设计采用两个基本原理: 1.为缓冲区到供电电源网络(Vss或砚D)提供一个良好的电流分流通道; 2.在需要保护的输入器件附近提供一个电压箱位电路，以阻止高压进入栅输入端使栅极损坏。

一个好的片内保护电路应该能够抵抗多次ESD应力，还应该具有足够快的开启速度以及低的开启电压，以保证在ESD事件发生时能够快速的将电压箱位，使得相应的被保护电路不受损伤。此外，保护电路还应该具有独立性，在被保护电路工作时，保护电路应该是高阻状态，不影响被保护内部电路的正常工作。ESD保护电路在设计上除了要能符合Ic所要求的ESD保护能力之外，也要尽可能地降低因为加上该ESD保护电路而增加的成本，例如布局面积的增大或者制造步骤的增加等。IC中通常采用的保护器件有ESD静电二极管、电阻、薄栅MOS管和厚栅MOS管、低压触发可控硅器件(LVTSCR)结构、寄生双极型器件等。本篇小硕要介绍的是SOCAY硕凯ESD静电二极管ESD3.3V52D-C的具体参数特性与应用：

ESD3.3V52D-C的参数：

封装：SOD-523

电压：3.3V

钳位电压：7V

容值：10pF

功率：100W

ESD3.3V52D-C的特性：

1、依据(tp=8/20μs)线路，峰值脉冲功率为100W

2、保护一个I/O线

3、低钳位电压

4、工作电压：3.3V,5V,8V

5、低漏电流

6、IEC61000-4-2(ESD)±30kV(空气),±30kV(接触)

7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)

ESD3.3V52D-C的产品应用：

1、电话手机和配件

2、基于微处理器的设备

3、个人数字助理(PDA)

4、笔记本，台式机，服务器

5、便携式仪器

6、（计算机的）外围设备

7、寻唿机

SOCAY硕凯电子坚持“专注于保护器件的研发和生产为电子设备提供高效防护”的使命，以科技创新为先导，生产优良品质的产品贡献给社会。我们将始终秉持原厂直销/现货供应/质量第一/价格合理的方针，向全球的用户提供全方位防雷解决方案及电路保护器件，技术咨询和售后服务，通过不同的工艺器件的组合方案来满足客户的个性化电路保护需求。

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