日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，静电放电)对于我们来说是一种常见的现象，然而对电子产品而言，ESD往往是致命的——它可能导致元器件内部线路受损，直接影响产品的正常使用寿命，甚至造成产品的损坏。因此，ESD防护一直以来都是工程师们的工作重点。对于刚开始职业生涯的电子工程师而言，在掌握专业技能之前通常都要接受一些ESD相关知识的培训，足见ESD防护的地位与重要性。

一般，ESD保护一般通过两种途径来实现，第一种方法是避免ESD的发生；第二种方法则是通过片内或片外集成内部保护电路或专用ESD保护器件，从而避免ESD发生后将被保护器件损坏。

避免ESD的发生

避免ESD发生的方法多出现于产品交付客户以前，即研发、生产等过程。因为在这些阶段，IC、电路板等静电敏感器件可能裸露在外（如生产工过程中的SMT制程），IC因ESD而损坏的可能远大于有外壳保护的成品。

ESD保护器件与保护电路

虽然上述避免ESD发生的方法有着很理想的效果，不过对于终端用户显然不太适合——举例来说，我们不可能在使用手机之前先戴上静电手环，通话结束后将手机放到静电袋中以避免ESD。事实上，由于用户鲜有机会接触到产品内部的元器件及电路板，因此也不需要如此严格的ESD防护措施，但这并不意味着ESD的问题不存在——首先，ESD可以输入/输出连接器(如USB接口、充电器接口、SIM卡插槽等)为路径进入电路中的各种元件；其次，随着电子产品，特别是消费电子产品向着轻薄化发展，导致内部IC的外形尺寸不断减小，其自身ESD防护能力亦不断减弱。所以，工程师在设计时通常加入ESD保护器件，而很多IC内部也有片上ESD保护电路。

相信所有人都希望ESD防护能完全地集成到IC芯片内部，因为这样会节省的板级空间，减少系统成本并降低设计与布线的复杂度。但从目前情况来看，前景并不乐观。如今，IC制程工艺的进步成了片上ESD保护的一大难题。一方面，工艺的进步虽提升IC的性能与集成度并降低功耗与尺寸，但由于栅极氧化层厚度越来越薄，IC自身的ESD防护能力反而降低。另一方面，随着IC尺寸的不断减小，由于受到空间的限制，因此保护能力有限。

ESD保护器件

由于片上ESD保护电路能力有限，为保证整个系统有较好的ESD防护能力，外部ESD保护器件是必不可少的。今天介绍一种常见的保护器件MLV(Multi-Layer Varistor，多层变阻器)。

MLV是一种基于ZnO压敏陶瓷材料，采用特殊的制造和处理工艺而制得的高性能电路保护元件，其伏安特性符合I=kVa，MLV的工作原理是利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。目前，MLV在很多领域得到了广泛的应用，如手机、机顶盒、复印机等等。

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